近日，首批采用納米銀燒結技術的碳化硅模塊從智新半導體二期產線順利下線，完成自主封裝、測試以及應用老化試驗。   碳化硅寬禁帶半導體是國家“十四五”規劃綱要中重點關注的科技前沿領域攻關項目，憑借其優良的高禁帶寬度、高電子遷移率、高導熱等特點，使得碳化硅模塊具有顯著的高效率、高壓、高工作溫度的優勢，在中高端新能源汽車中的應用越來越普及。     智新半導體碳化硅模塊項目基于東風集團“馬赫動力”新一代800V高壓平臺，項目于2021年進行前期先行開發，2022年12月正式立項為量[登陸后可查看全文]