當地時間11月13日，沖電氣工業株式會社（OKI）與信越化學合作，宣布成功開發出一種技術，該技術使用OKI的CFB（晶體薄膜鍵合）技術，從信越化學特殊改進的QST（Qromis襯底技術）基板上僅剝離氮化鎵（GaN）功能層，并將其粘合到不同材料的基材上。   該技術實現了GaN的垂直導電，有望為可控制大電流的垂直GaN功率器件的制造和商業化做出貢獻。兩家公司將進一步合作開發垂直GaN功率器件，并與制造這些器件的公司合作，讓這些器件能應用到實際生產生活中。   GaN功率器件因兼具高頻率與低功耗特性而備受關注，尤其在1800V以上高[登陸后可查看全文]