當?shù)貢r間11月13日，沖電氣工業(yè)株式會社（OKI）與信越化學合作，宣布成功開發(fā)出一種技術(shù)，該技術(shù)使用OKI的CFB（晶體薄膜鍵合）技術(shù)，從信越化學特殊改進的QST（Qromis襯底技術(shù)）基板上僅剝離氮化鎵（GaN）功能層，并將其粘合到不同材料的基材上。   該技術(shù)實現(xiàn)了GaN的垂直導電，有望為可控制大電流的垂直GaN功率器件的制造和商業(yè)化做出貢獻。兩家公司將進一步合作開發(fā)垂直GaN功率器件，并與制造這些器件的公司合作，讓這些器件能應用到實際生產(chǎn)生活中。   GaN功率器件因兼具高頻率與低功耗特性而備受關(guān)注，尤其在1800V以上高[登陸后可查看全文]