第三代化合物半導體憑借其顯著的性能特點，展示出在新能源汽車、5G通信、可再生能源等領域具有廣泛的需求前景，且其器件生產工藝和技術也日趨成熟。但是目前的市場普及率仍然非常低，尤其和硅基器件相比仍有數量級差距。 以氮化鎵（GaN）器件為例，從材料成本來說并不會比硅基器件昂貴，但其市場價格卻遠高于硅基器件。很多人認為是氮化鎵器件規模仍然不足，導致成本均攤困難。但在我們看來，規模是結果而并非原因，本質問題出現在產業效率上，只有把系統效率提升，才能用更低的成本推動器件的大規模應用。就像星鏈衛星是因為便[登陸后可查看全文]