在電力電子的很多應用，如電機驅動，有時會出現短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時間內承受住短路電流而不損壞。
目前市面上大部分IGBT都會在數據手冊中標出短路能力，大部分在5~10μs之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時間是10μs，IGBT7短路時間是8μs。
而大部分的SiC MOSFET都沒有標出短路能力，即使有，也比較短，例如英飛凌的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標稱短路時間是3μs，EASY封裝器件標稱短路時間是2μs。
為什么IGBT和SiC MOSFET短路能力差這么多，這
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