新能源汽車和光伏，儲能設施在全球加速普及，為第三代半導體碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件產業的落地提供了前所未有的契機。長電科技厚積薄發定位創新前沿，多年來面向第三代半導體功率器件開發完成的高密度成品制造解決方案進入產能擴充階段，預計2024年起相關產品營收規模翻番，將有利促進第三代半導體器件在全球應用市場的快速上量。 碳化硅，氮化鎵產品相對于傳統的硅基功率器件具有更高的開關速度，支持高電流密度，耐受更高的溫度，低導通和開通損耗的同時，也伴隨著一些挑戰，如寄生電感效應、封裝寄生電阻、電磁[登陸后可查看全文]