據日經中文網，日本最大的半導體晶圓企業信越化學工業和從事ATM及通信設備的OKI公司日前宣布，其開發出了以低成本制造使用氮化鎵（GaN）的功率半導體材料的技術。新技術可以在特有的QST基板上噴鎵系氣體，使晶體生長。信越化學工業的增厚晶體技術與OKI的接合技術相結合，從基板上只揭下晶體，晶體放在其他基板上作為功率半導體的晶圓使用。新制法可以高效制造晶體，可以降低9成成本。信越化學工業透露，這一技術可以制造6英寸晶圓，希望在2025年增大到8英寸，今后還考慮向半導體廠商銷售技術等業務模式。
氮化鎵是最具代表性的第
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