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        第四代半導(dǎo)體來了,氧化鎵能取代碳化硅?

        作 者: 單 位: 閱讀 2021
          在數(shù)字化和智能化趨勢(shì)的推動(dòng)下,半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展熱度持續(xù)攀升。特別是隨著量子信息、人工智能等高新技術(shù)的不斷發(fā)展,半導(dǎo)體新體系及其微電子等多功能器件技術(shù)也在迅速更新迭代。為了滿足新的高性能和低成本的需求,行業(yè)內(nèi)開始關(guān)注第四代半導(dǎo)體,其中最引人矚目的就是氧化鎵。 這種材料具有許多優(yōu)越的特性,被視為可能顛覆目前的化合物半導(dǎo)體市場(chǎng),并讓國(guó)產(chǎn)芯片商實(shí)現(xiàn)彎道超車的材料。但氧化鎵也有不少挑戰(zhàn)需要面對(duì)和克服。在這篇文章中,與非研究院將詳細(xì)介紹氧化鎵的優(yōu)勢(shì)、挑戰(zhàn)以及市場(chǎng)前景。 出口管制下的半導(dǎo)體關(guān)鍵[登陸后可查看全文]
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