近年來，在材料生長、器件制備等技術的不斷突破下，以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體的性價比優勢逐漸顯現。 簡單來說，第三代半導體具有耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等特點，相比硅基半導體可以降低50%以上的能量損失，同時使裝備體積減小75%以上，在提高能效、系統小型化、提高耐壓等方面具有優勢，是助力節能減排并實現“碳中和”目標的重要發展方向。 與SiC相比，GaN在成本方面表現出更強的潛力，且GaN器件是個平面器件，比現有的Si半導體工藝兼容性強，這使其更容易與其他半導體[登陸后可查看全文]