近期，納微半導體宣布，該公司的GeneSiC碳化硅功率半導體器件已經被用于�？巳驴萍技瘓F(Exide Technologies)的下一代高頻快速充電樁。該高頻充電樁將220伏交流電轉換為24至80伏的直流電，為搭載了鉛酸電池和鋰電池的工業車輛充電。
Source：納微半導體
本次�？巳驴萍嫉母哳l快速充電樁采用的是納微半導體的GeneSiC“溝槽輔助平面柵極”的碳化硅 MOSFET技術，其兼具平面和溝槽的優勢，具備高效、高速的性能。相比其他碳化硅產品，運行時的最高溫度低25°C，壽命延長3倍之多。已公布的100%耐雪崩測試中其耐受能力最高、
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