ews Releases 三菱電機成功開發 基于【新型結構】的SiC-MOSFET 新型芯片結構能有效防止浪涌電流集中在特定芯片上 圖1 新開發的芯片結構（上:芯片截面；下:并聯芯片） 三菱電機集團近日（2023年6月1日）宣布，其開發出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結構，并已將其應用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF800DC-66BEW，適用于鐵路、電力系統等大型工業設備。樣品于5月31日開始發售。該新結構芯片有望幫助實現鐵路牽引等電氣系統的小型化和節能化，促進直流輸變電的普及，從而為實現碳中和做出貢獻。   SiC功率半導體因其能[登陸后可查看全文]