ews Releases 三菱電機(jī)成功開發(fā) 基于【新型結(jié)構(gòu)】的SiC-MOSFET 新型芯片結(jié)構(gòu)能有效防止浪涌電流集中在特定芯片上 圖1 新開發(fā)的芯片結(jié)構(gòu)（上:芯片截面；下:并聯(lián)芯片） 三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2023年6月1日）宣布，其開發(fā)出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結(jié)構(gòu)，并已將其應(yīng)用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF800DC-66BEW，適用于鐵路、電力系統(tǒng)等大型工業(yè)設(shè)備。樣品于5月31日開始發(fā)售。該新結(jié)構(gòu)芯片有望幫助實(shí)現(xiàn)鐵路牽引等電氣系統(tǒng)的小型化和節(jié)能化，促進(jìn)直流輸變電的普及，從而為實(shí)現(xiàn)碳中和做出貢獻(xiàn)。   SiC功率半導(dǎo)體因其能[登陸后可查看全文]