與半導(dǎo)體市場整體“低迷”的現(xiàn)狀不同，功率半導(dǎo)體市場異常熱鬧。 　　功率半導(dǎo)體正從傳統(tǒng)硅基功率器件IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、MOSFET（金氧半場效晶體管），走向以SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）為代表的時代。 　　在這條賽道上，企業(yè)融資并購、廠商增資擴產(chǎn)、新玩家跑步入場、新項目不斷涌現(xiàn)。 　　多位長期關(guān)注功率半導(dǎo)體發(fā)展的專業(yè)人士對《中國經(jīng)營報》記者表示，伴隨著 5G、物聯(lián)網(wǎng)、新能源等行業(yè)的迅速發(fā)展，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、熱導(dǎo)率、電子飽和速率及抗輻射能力的碳化硅、氮化鎵等為代表的第[登陸后可查看全文]