與半導體市場整體“低迷”的現狀不同，功率半導體市場異常熱鬧。 　　功率半導體正從傳統硅基功率器件IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、MOSFET（金氧半場效晶體管），走向以SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）為代表的時代。 　　在這條賽道上，企業融資并購、廠商增資擴產、新玩家跑步入場、新項目不斷涌現。 　　多位長期關注功率半導體發展的專業人士對《中國經營報》記者表示，伴隨著 5G、物聯網、新能源等行業的迅速發展，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、熱導率、電子飽和速率及抗輻射能力的碳化硅、氮化鎵等為代表的第[登陸后可查看全文]