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    SiC與GaN,誰擁有更廣闊的星辰大海?

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       當(dāng)下,低碳化和數(shù)字化齊頭并進的發(fā)展,帶來了萬物互聯(lián)、能源效率、未來出行等多重變革。而在這個突飛猛進的過程中,第三代半導(dǎo)體則發(fā)揮著重要作用。   同屬第三代半導(dǎo)體,碳化硅和氮化鎵近年來不斷發(fā)光發(fā)熱,成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的“流量明星”。那么,這兩種材料,誰的市場前景更大呢?   碳化硅和氮化鎵:在不同引擎驅(qū)動下前進     碳化硅和氮化鎵都具有禁帶寬度大、電子漂移飽和速度高、導(dǎo)電性能好等特點,這就決定了碳化硅與氮化鎵有部分重疊的應(yīng)用領(lǐng)域,雙方均可應(yīng)用于電動汽車、光伏[登陸后可查看全文]
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