增強型GaN器件由于其優異的高頻開關特性使得產品具有更高的能效和功率密度，從而減小充電器的體積和重量，在消費類的PD快充已經取得了廣泛應用。目前的增強型GaN器件主要是采用各類DFN封裝形式，由于DFN貼片封裝具有較低的寄生參數，其非常適合GaN器件工作在較高的開速度和開關頻率。
但是DFN封裝的散熱能力不足，不易進行系統熱設計，且封裝成本較高，限制了增強型GaN器件在更多場景的應用。據充電頭網獲悉，能華半導體為此于近期推出了TO252封裝的增強型GaN器件CE65E300TOBI，以及采用該器件的適配器電源的應用解決方案。
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