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    納微發布GaNSense™ Control氮化鎵芯片,引領氮化鎵邁入新高度

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       高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統控制器的戰略性集成,實現易用、高效、可快速充電的電源系統。  美國加利福尼亞州托倫斯,2023年3月20日訊——唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業領導者—納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)發布全新GaNSense™ Control合封氮化鎵功率芯片,帶來前所未有的高集成度和性能表現。  氮化鎵是相比傳統高壓(HV)硅(Si)功率半導體有著重大升級的下一代半導體技術,同時還減少了提供相同性能所需的能源和物理空間。采用了氮化鎵的充[登陸后可查看全文]
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