1  前言 IGBT（insulated grid bipolar transistor），絕緣柵雙極型晶體管，具有驅動功率小而飽和壓降低等優點，是能源轉換與傳輸的核心器件，是變頻器中的關鍵零件之一。IGBT模塊的壽命及穩定性直接影響變頻器的性能。而IGBT模塊本身工作需要承受較大的電流，每秒開關達上千次，會伴隨著開關損耗和通流損耗的產生，如果對IGBT模塊無有效的散熱措施，使其溫度超過設計結溫（一般為120~150℃之間），會導致IGBT模塊燒毀，影響整個變頻器系統的運行。隨著變頻器單機功率的不斷增大以及電子集成技術的進度，IGBT模塊不斷向高壓、大容量[登陸后可查看全文]