隨著現代材料科技的創新發展，半導體材料已經由第一代的硅、鍺等元素半導體材料，發展為以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體材料，推動了現代互聯網、通信、新能源等新興產業的快速發展。 我國提出了“雙碳”目標后，對半導體材料的應用與發展提出了更高的要求，業內人士紛紛認為，具備可提升能源轉換效率特點的第三代半導體產業逐漸進入發展快車道。 毫無疑問，以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體材料具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等優異特性，相對硅基功率器件而言，碳化硅或氮化鎵器件在[登陸后可查看全文]