近日，山東大學陶緒堂教授團隊使用導模法(EFG)成功制備了外形完整的4英寸(001)主面氧化鎵(β-Ga2O3)單晶,并對其性能進行了分析。該成果是繼2019年團隊獲得4英寸(100)主面單晶后的又一新突破。 據悉,勞厄測試衍射斑點清晰、對稱,說明晶體具有良好的單晶性,無孿晶;X射線衍射搖擺曲線顯示晶體(400)面半峰全寬僅為57.57″,結晶質量較高;濕法化學腐蝕測試結果表明,晶體位錯密度為1.06×104 cm-2;C-V測試確認β-Ga2O3晶體中載流子濃度為7.77×1016 cm-3。測試結果表明,該團隊通過導模法獲得了高質量的4英寸&be[登陸后可查看全文]