全球半導體解決方案供應商瑞薩電子宣布，推出新一代Si-IGBT（硅基絕緣柵雙極晶體管）器件——該產品以更小的尺寸帶來更低的功率損耗。針對下一代電動汽車（EVs）逆變器應用，AE5代IGBT產品將于2023年上半年在瑞薩位于日本那珂工廠的200mm和300mm晶圓線上開始批量生產。此外，瑞薩將從2024年上半年開始在其位于日本甲府的新功率半導體器件300mm晶圓廠加大生產，以滿足市場對功率半導體產品日益增長的需求。
與當前一代AE4產品相比，用于IGBT的硅基AE5工藝可將功率損耗降低10%，這一節能技術將有助于EV開發人員節省電池
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