東芝近日官網宣布，第三代SiC MOSFET（碳化硅場效應管）計劃在今年8月下旬開始量產。據了解，該新產品使用全新的器件結構，具有低導通電阻，且開關損耗與第二代產品相比降低了約20％。 東芝的第二代SiC MOSFET量產于2020年8月。今年一季度，東芝宣布在內部生產用于功率半導體的SiC外延片，并且投資55億用于功率器件擴產，包括建設8英寸的碳化硅和氮化鎵生產線。 東芝表示，未來這種“外延設備+外延片+器件”的IDM模式，有利于他們搶占鐵路、海上風力發電、數據中心以及車載等市場。 SiC在高壓、高功率應用場景下性能[登陸后可查看全文]