東芝近日官網(wǎng)宣布，第三代SiC MOSFET（碳化硅場效應管）計劃在今年8月下旬開始量產(chǎn)。據(jù)了解，該新產(chǎn)品使用全新的器件結構，具有低導通電阻，且開關損耗與第二代產(chǎn)品相比降低了約20％。 東芝的第二代SiC MOSFET量產(chǎn)于2020年8月。今年一季度，東芝宣布在內部生產(chǎn)用于功率半導體的SiC外延片，并且投資55億用于功率器件擴產(chǎn)，包括建設8英寸的碳化硅和氮化鎵生產(chǎn)線。 東芝表示，未來這種“外延設備+外延片+器件”的IDM模式，有利于他們搶占鐵路、海上風力發(fā)電、數(shù)據(jù)中心以及車載等市場。 SiC在高壓、高功率應用場景下性能[登陸后可查看全文]