1 引言 在現代電氣傳動系統的整流和逆變中，igbt以其輸入阻抗高、開關速度快、通態電壓低、阻斷電壓高、承受電流大等特點被廣泛應用，已成為當今功率半導體器件發展的主流器件。跟其他半導體器件一樣，igbt的熱容量小，能承受的過電流時間短，因此必須設置合理的過電流保護措施，一般是采取設置快熔的方法來實現。另外，為防止事故擴大，也需要使用快熔進行切斷。在使用時，快熔與被保護的功率半導體串聯，當過載和短路電流通過線路時，快熔中的熔體就會發熱而使熔體迅速熔斷，從而切斷電路，起到保護功率半導體、防止事故擴大的[登陸后可查看全文]