隨著功率半導體器件逐漸往高壓、高頻方向發展，傳統的硅基功率半導體器件及其材料越來越接近物理極限，再往下發展的空間很有限。因而產業界紛紛將目光轉向以SiC、GaN為代表的第三代半導體材料聚焦，以期開發出更能適應高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的功率半導體器件。目前，國內外功率半導體大廠正在加緊布局中。 作為國內第三代半導體的領軍企業，深圳基本半導體自成立以來便一直致力于SiC功率器件的研發與產業化。在外延制備、芯片設計、制造工藝、封裝測試、驅動應用等碳化硅器件產業鏈各個環節均有豐富的經[登陸后可查看全文]