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        寬禁帶電力電子器件綜述(下)--氮化鎵器件

        作 者:孔德鑫 劉洋 王偉康 單 位:華中科技大學(xué) 自動(dòng)化學(xué)院 閱讀 19568
         摘  要:氮化鎵器件是寬禁帶電力電子器件代表之一,近年來發(fā)展迅速,除了具有高耐壓、高工作溫度外,還具有高工作頻率,高功率和高線性度等優(yōu)勢(shì),將應(yīng)用于高密度電力電子領(lǐng)域。本文介紹了氮化鎵器件的特性、常用類型、應(yīng)用領(lǐng)域和國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀,并總結(jié)器件的存在問題和未來的發(fā)展趨勢(shì)。 關(guān)鍵詞:寬禁帶;電力電子器件;氮化鎵 Abstract: As a representative of wide band gap semiconductor, gallium nitride devices have developed rapidly in recent years. Besides high pressures resistance and high working tempe[登陸后可查看全文]
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