摘  要：傳統硅材料器件在高溫、高壓、高開關頻率等諸多應用領域受到限制，而新型寬禁帶半導體材料（以碳化硅和氮化鎵為代表）的出現突破了電力電子器件的發展瓶頸，成為未來功率半導體器件發展的必然趨勢。本文介紹了碳化硅材料的優良特性，碳化硅器件的常用類型、應用領域、國內外最新研究進展，最后總結了該器件目前發展存在的問題，并提出建議。 關鍵詞：寬禁帶半導體；碳化硅；電力電子器件 Abstract: The traditional silicon material devices are limited in many applications, such as high temperature, high vo[登陸后可查看全文]