為了防止化石燃料枯竭和全球變暖，人們不斷在提高能源利用率和減少二氧化碳排放方面作出努力。工業，民生，可再生能源應用等領域，使用功率半導體器件的高效率電力變換裝置，其適用領域和市場也因此急速擴大。     在功率半導體器件中，具有高速開關、大功率高效率和容易操控特征的IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊占據優勢地位。   富士電機的IGBT模塊在進入市場以來，憑借多項技術創新實現了更低的損耗以及結構的小型化。然而，IGBT模塊尺寸的小型化會導致其在高功率密度時，結溫[登陸后可查看全文]