不同于第一代與第二代半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料是以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在導(dǎo)熱率、抗輻射能力、擊穿電場(chǎng)能力、電子飽和速率等方面優(yōu)勢(shì)突出，更適用于高溫、高頻、抗輻射的場(chǎng)合。有關(guān)專家指出，第三代半導(dǎo)體器件將在新能源汽車、消費(fèi)類電子領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用。 　　隨著制備工藝逐步成熟和生產(chǎn)成本的不斷降低，第三代半導(dǎo)體材料正以其優(yōu)良的性能突破傳統(tǒng)材料的瓶頸，成為半導(dǎo)體技術(shù)研究前沿和產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)，美、日以及歐盟都在積極進(jìn)行戰(zhàn)略部署。美國(guó)已經(jīng)將部署第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略提升到國(guó)家層面，先后啟動(dòng)[登陸后可查看全文]