如何更高效更智能地利用能源，以應對全球氣候與資源變化實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展，功率半導體作為能源產業(yè)鏈的最上游責無旁貸地要提出一些解決方案。過去20年，以英飛凌為主的功率半導體廠家推出、發(fā)展一代又一代的Si基IGBT，推動了功率器件市場的可持續(xù)進步。然而在即將到來的未來，隨著對能源高效、智能、安全、便捷等更加深刻的要求，僅僅靠相對成熟的IGBT產品，難免會捉襟見肘。新型的復合半導體——SiC材料，將成為打開能源高效利用的另一把鑰匙。 2018年5月16日，英飛凌攜革命性碳化硅產品技術CoolSiC™ MOSFET，在[登陸后可查看全文]