國際半導體電荷存儲技術中，“寫入速度”與“非易失性”兩種性能一直難以兼得。記者日前從復旦大學微電子學院獲悉，該校張衛、周鵬教授團隊研發出具有顛覆性的二維半導體準非易失性存儲原型器件，開創了第三類存儲技術，不僅可以實現“內存級”的數據讀寫速度，還可以按需定制存儲器的數據存儲周期。   據張衛介紹，目前半導體電荷存儲技術主要有兩類，第一類是易失性存儲，如計算機內存，數據寫入僅需幾納秒左右，但掉電后數據會立即消失；第二類是非易失性存儲，如U盤，數據寫入需要幾微[登陸后可查看全文]