國際半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)中，“寫入速度”與“非易失性”兩種性能一直難以兼得。記者日前從復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院獲悉，該校張衛(wèi)、周鵬教授團隊研發(fā)出具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準非易失性存儲原型器件，開創(chuàng)了第三類存儲技術(shù)，不僅可以實現(xiàn)“內(nèi)存級”的數(shù)據(jù)讀寫速度，還可以按需定制存儲器的數(shù)據(jù)存儲周期。   據(jù)張衛(wèi)介紹，目前半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)主要有兩類，第一類是易失性存儲，如計算機內(nèi)存，數(shù)據(jù)寫入僅需幾納秒左右，但掉電后數(shù)據(jù)會立即消失；第二類是非易失性存儲，如U盤，數(shù)據(jù)寫入需要幾微[登陸后可查看全文]