12月6日至9日美國加利福尼亞州的IEEE半導體接口專家會議(SISC2017)上，日本富士通公司及其子公司富士通實驗室公司(Fujitsu Laboratories Ltd)介紹了據稱是第一個室溫下實現單晶金剛石和碳化硅(SiC)襯底焊接，關鍵是這兩者都是硬質材料，但具有不同的熱膨脹系數。 　　使用這種技術散熱可以高效率地冷卻高功率氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)，從而使功率放大器在高功率水平下穩定工作。   　　傳統GaN HEMT——SiC襯底散熱 　　近年來，高頻GaN-HEMT功率放大器已被廣泛用于雷達和無線通信等遠程[登陸后可查看全文]