12月6日至9日美國加利福尼亞州的IEEE半導(dǎo)體接口專家會(huì)議(SISC2017)上，日本富士通公司及其子公司富士通實(shí)驗(yàn)室公司(Fujitsu Laboratories Ltd)介紹了據(jù)稱是第一個(gè)室溫下實(shí)現(xiàn)單晶金剛石和碳化硅(SiC)襯底焊接，關(guān)鍵是這兩者都是硬質(zhì)材料，但具有不同的熱膨脹系數(shù)。 　　使用這種技術(shù)散熱可以高效率地冷卻高功率氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)，從而使功率放大器在高功率水平下穩(wěn)定工作。   　　傳統(tǒng)GaN HEMT——SiC襯底散熱 　　近年來，高頻GaN-HEMT功率放大器已被廣泛用于雷達(dá)和無線通信等遠(yuǎn)程[登陸后可查看全文]