今天發布的MOSFET采用6mm x 5mm PowerPAK®SO-8封裝，是目前最大導通電阻小于0.6mΩ的兩顆25V MOSFET之一。與同類器件相比，SiRA20DP的典型柵極電荷更低，只有61nC，FOM為0.035Ω*nC，低32%。其他25V N溝道MOSFET的導通電阻則要高11%甚至更多。 SiRA20DP的低導通電阻可減小傳導功率損耗，提高系統效率，實現更高的功率密度，特別適合冗余電源架構中的OR-ring功能。器件的FOM較低，可提高開關性能，如通信和服務器電源中DC/DC轉換，電池系統中的電池切換，以及5V到12V輸入電源的負載切換。  這顆MOSFET經過了10[登陸后可查看全文]