摘  要：對功率半導體而言，提高可靠性、延長生命周期，而成本保持不變或更低，這一直是很多電力電子工程師的不懈追求。從理論上說，所有這些改進都取決于高功率密度的潛力。隨著時間的推移，即使半導體本身能持續改進電流密度，熱堆棧及相關焊接和連接技術仍然是制約因素。當綜合判斷碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的潛力時，尤其如此。本文提出了一種高可靠性的功率模塊解決方案，即一種可靠性特別高同時可保持粗線綁定技術較高的設計靈活性的互連技術。對于本文提出的解決方案而言，采用低壓燒結工藝，可完成晶粒粘著。通過[登陸后可查看全文]