晶圓龍頭臺(tái)積電先進(jìn)制程技術(shù)再次向前大步躍進(jìn)，看好快充電源管理IC市場(chǎng)潛力，協(xié)同合作伙伴戴樂格半導(dǎo)體(Dialog Semiconductor)，將于明年第1季推出首顆氮化鎵(GaN)手機(jī)快充晶片，挑戰(zhàn)快充晶片龍頭德儀(TI)及恩智浦(NXP)霸主地位。 喧騰已久氮化鎵制程，臺(tái)積電終于宣布跨入氮化鎵先進(jìn)制程，為合作客戶德商戴樂格量身打造，采用6寸、0.5微米、650V硅上氮化鎵(GaN-On-Silicon)制程技術(shù)，生產(chǎn)首顆氮化鎵手機(jī)快充晶片，預(yù)計(jì)在明年第1季產(chǎn)出，該晶片具備體積縮小、效能提高、充電時(shí)間減半等優(yōu)勢(shì)，適用于手機(jī)及平板等行動(dòng)快充，將挑戰(zhàn)[登陸后可查看全文]