碳化硅器件具有低損耗、高頻率等性能優勢，特別適用于電動汽車、軌道交通、光伏逆變器、UPS電源、智能電網、航空航天等應用領域，具有極大的發展潛力及廣闊的市場空間，其創新技術和研究成果是今年PCIM Asia的關注熱點。
基本半導體由瑞典碳化硅領軍企業Ascatron AB和國內IGBT驅動領域領先品牌青銅劍科技聯合創立，整合海外先進技術和國內市場資源，推動碳化硅器件在國內的產業化。
基本半導體的碳化硅JBS二極管采用先進刻蝕結合二次外延的3D SiC®技術，形成嵌入式的P型摻雜區，該技術可使器件具有
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