有消息稱，中芯國際與Crossbar合作研發(fā)的ReRAM(非易失性阻變式存儲器)已經(jīng)在中芯國際正式投入生產(chǎn)！ Crossbar公司成立于2010年，拿到了包括中國北極光創(chuàng)投在內(nèi)提供的8000萬美元風投，2016年3月宣布與中芯國際達成合作，發(fā)力中國市場，中芯國際將采用自家的40nm CMOS工藝試產(chǎn)ReRAM芯片。 ReRAM代表電阻式RAM，是將DRAM的讀寫速度與NAND的非易失性集于一身的新一代存儲技術(shù)，關(guān)閉電源后仍能保存數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠大的空間，一臺配備ReRAM的計算機將幾乎不再需要載入時間。   ReRAM的名字中雖然[登陸后可查看全文]