·本刊編輯部   在全球能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型與碳中和目標(biāo)的推動(dòng)下，新能源汽車產(chǎn)業(yè)正迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)。據(jù)行業(yè)預(yù)測(cè)，到2030年，全球新能源汽車銷量占比將超過(guò)50%，這一趨勢(shì)對(duì)電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能提出了前所未有的高要求。作為新能源汽車核心技術(shù)的關(guān)鍵支撐，寬禁帶半導(dǎo)體憑借其卓越的性能優(yōu)勢(shì)，正逐漸成為行業(yè)焦點(diǎn)。 寬禁帶半導(dǎo)體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），相較于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體，具備更高的擊穿電場(chǎng)、更快的開(kāi)關(guān)速度、更低的導(dǎo)通電阻以及更好的高溫穩(wěn)定性等特性，這些優(yōu)勢(shì)使其在新能源汽車的電機(jī)控制器、車載充電機(jī)（OBC）、直[登陸后可查看全文]