近期，納微半導(dǎo)體宣布，該公司的GeneSiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件已經(jīng)被用于埃克塞德科技集團(Exide Technologies)的下一代高頻快速充電樁。該高頻充電樁將220伏交流電轉(zhuǎn)換為24至80伏的直流電，為搭載了鉛酸電池和鋰電池的工業(yè)車輛充電。 Source：納微半導(dǎo)體 本次埃克塞德科技的高頻快速充電樁采用的是納微半導(dǎo)體的GeneSiC“溝槽輔助平面柵極”的碳化硅 MOSFET技術(shù)，其兼具平面和溝槽的優(yōu)勢，具備高效、高速的性能。相比其他碳化硅產(chǎn)品，運行時的最高溫度低25°C，壽命延長3倍之多。已公布的100%耐雪崩測試中其耐受能力最高、[登陸后可查看全文]