近年來，從節能和環保的觀點出發，業界對于可大幅降低功率損耗的SiC功率半導體的期待與日俱增。自2010年起，三菱電機就搭載了SiC-SBD※1或SiC-MOSFET※2的SiC功率半導體模塊。此次，三菱電機新開發功率半導體「SiC-MOSFET 1200V N-系列」，該系列產品具有低功率損耗和高抑制誤開通能力，有助于需要功率變換的高壓車載充電器和太陽能發電等各種電源系統低功耗化及小型化。該系列6個品種的樣品將于2020年7月開始提供。
SiC-MOSFET 1200V-N系列
新產品的特點：
1、搭載高性能SiC-MOSFET，有助于電源系統的低功耗化及小
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