全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出“1200V第4代SiC MOSFET※1”，非常適用于包括主機逆變器在內的車載動力總成系統和工業設備的電源。
對于功率半導體來說，當導通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權衡關系，因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰。
此次開發的新產品，通過進一步改進ROHM獨有的雙溝槽結構※3，改善了二者之間的矛盾權衡關系，與以往產品相比，在不犧牲短路耐受時間的前提下成功地將單位面積的導通電阻降低了約
[登陸后可查看全文]
