碳化硅器件具有低損耗、高頻率等性能優(yōu)勢(shì)，特別適用于電動(dòng)汽車、軌道交通、光伏逆變器、UPS電源、智能電網(wǎng)、航空航天等應(yīng)用領(lǐng)域，具有極大的發(fā)展?jié)摿皬V闊的市場(chǎng)空間，其創(chuàng)新技術(shù)和研究成果是今年P(guān)CIM Asia的關(guān)注熱點(diǎn)。
基本半導(dǎo)體由瑞典碳化硅領(lǐng)軍企業(yè)Ascatron AB和國內(nèi)IGBT驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域領(lǐng)先品牌青銅劍科技聯(lián)合創(chuàng)立，整合海外先進(jìn)技術(shù)和國內(nèi)市場(chǎng)資源，推動(dòng)碳化硅器件在國內(nèi)的產(chǎn)業(yè)化。
基本半導(dǎo)體的碳化硅JBS二極管采用先進(jìn)刻蝕結(jié)合二次外延的3D SiC®技術(shù)，形成嵌入式的P型摻雜區(qū)，該技術(shù)可使器件具有
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