三菱電機開始提供工業用第8代IGBT模塊樣品
日期:2025-02-14 23:12

與第7代IGBT相比，獨特的SDA結構有助于抑制dv/dt5，并實現更高的開關速度，有望降低導通開關損耗。


獨特的CPL結構抑制了關斷浪涌電壓，與第7代IGBT相比芯片更薄。





2）通過將額定電流提高到1800A，有助于提高逆變器的輸出功率





優化的芯片布局實現了1800A的額定電流，是現有產品3的1.5倍。





3）利用現有的LV100封裝簡化并聯設計


采用現有封裝簡化了并聯設計，可以兼容多種功率等級的逆變器設計。


使用現有封裝簡

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