三菱電機開始提供工業(yè)用第8代IGBT模塊樣品
日期:2025-02-14 23:12

與第7代IGBT相比，獨特的SDA結構有助于抑制dv/dt5，并實現(xiàn)更高的開關速度，有望降低導通開關損耗。


獨特的CPL結構抑制了關斷浪涌電壓，與第7代IGBT相比芯片更薄。





2）通過將額定電流提高到1800A，有助于提高逆變器的輸出功率





優(yōu)化的芯片布局實現(xiàn)了1800A的額定電流，是現(xiàn)有產(chǎn)品3的1.5倍。





3）利用現(xiàn)有的LV100封裝簡化并聯(lián)設計


采用現(xiàn)有封裝簡化了并聯(lián)設計，可以兼容多種功率等級的逆變器設計。


使用現(xiàn)有封裝簡

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