三菱電機開始提供工業用第8代IGBT模塊樣品
日期:2025-02-14 23:12
與現有產品3相比，采用第8代IGBT芯片的新型LV100封裝1.2kV模塊可將太陽能發電系統、儲能電池等逆變器的功耗降低約15%4。此外，通過優化IGBT和二極管芯片布局，實現了1800A的額定電流，是上述現有產品的1.5倍，有助于提高逆變器的輸出功率。此外，該模塊的傳統封裝易于并聯連接，可以兼容多種功率等級的逆變器設計。

隨著對功率半導體需求的增加，三菱電機期待在各個領域降低電力電子設備的能耗，并快速穩定地提供此類產品，以支持綠色轉型（GX）。




產品特點





1）搭載第8代IGBT，使逆變器功率損耗降低15%






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