三菱電機(jī)與Nexperia合作開發(fā)SiC功率半導(dǎo)體
日期:2023-11-14 13:40

三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2023年11月13日）宣布，將與Nexperia B.V. 建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)為Nexperia開發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片，用于其開發(fā)SiC分立器件。

全球范圍內(nèi)的電動汽車市場正在不斷擴(kuò)大，有望推動SiC功率半導(dǎo)體的指數(shù)級增長，與傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體相比，SiC功率半導(dǎo)體具有更低的損耗、更高的工作溫度和更快的開關(guān)速度。SiC功率半導(dǎo)體的高效率有望為全球脫碳和綠色轉(zhuǎn)型做出重大貢獻(xiàn)。

三菱電機(jī)在高速列車、高壓工業(yè)應(yīng)用和家用電器等領(lǐng)域占

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