三菱電機與Nexperia合作開發SiC功率半導體
日期:2023-11-14 13:40

三菱電機集團近日（2023年11月13日）宣布，將與Nexperia B.V. 建立戰略合作伙伴關系，共同開發面向電力電子市場的碳化硅（SiC）功率半導體。三菱電機將利用其寬禁帶半導體技術為Nexperia開發和供應SiC MOSFET芯片，用于其開發SiC分立器件。

全球范圍內的電動汽車市場正在不斷擴大，有望推動SiC功率半導體的指數級增長，與傳統硅功率半導體相比，SiC功率半導體具有更低的損耗、更高的工作溫度和更快的開關速度。SiC功率半導體的高效率有望為全球脫碳和綠色轉型做出重大貢獻。

三菱電機在高速列車、高壓工業應用和家用電器等領域占

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