戰略新變革：三菱電機為功率半導體按下“加速鍵”
日期:2023-08-31 11:23
與公司現有的硅功率模塊相比，開關損耗降低了91%，與現有3.3kV/750A全SiC功率模塊相比降低了66%。從而降低了變流器功率損耗，并有助于提高輸出功率和效率，有效減少碳排放。此外，該款SiC MOSFET模塊采用了LV100封裝形式，可以通過不同的數量并聯實現變流器的靈活功率配置，簡化電路設計。





（新型3.3kV高壓SiC-MOSFET模塊）



在電動汽車行業，三菱電機正在開發下一代電動汽車專用功率模塊。該系列模塊擁有1300V和750V兩個電壓等級，分別采用SiC MOSFET和RC-IGBT芯片技術。該系列模塊采用三菱電機擅長的壓注模工藝。在保

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