戰(zhàn)略新變革：三菱電機(jī)為功率半導(dǎo)體按下“加速鍵”
日期:
2023-08-31 11:23
采用了1200V第7代IGBT，而交流開關(guān)部分采用了650V第7代IGBT。這款三電平模塊具有200A和400A兩個(gè)電流規(guī)格。優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì)使得該模塊可以通過不同的數(shù)量并聯(lián)實(shí)現(xiàn)變流器的靈活功率配置，簡化電路設(shè)計(jì)。
在軌道牽引行業(yè)，繼3.3kV/185A、3.3kV/375A和3.3kV/750A全碳化硅模塊之后，三菱電機(jī)新開發(fā)了一款集成SBD的SiC-MOSFET模塊，其規(guī)格為3.3kV/800A，它將有助于為鐵路、電力系統(tǒng)及大型工業(yè)變流系統(tǒng)提供更大功率密度、更高效率和可靠性。
在封裝結(jié)構(gòu)和形式上，這款SiC MOSFET模塊采用集成SBD的SiC MOSFET和優(yōu)化的封裝結(jié)構(gòu)，
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