戰略新變革：三菱電機為功率半導體按下“加速鍵”
日期:2023-08-31 11:23
采用了1200V第7代IGBT，而交流開關部分采用了650V第7代IGBT。這款三電平模塊具有200A和400A兩個電流規格。優化的封裝設計使得該模塊可以通過不同的數量并聯實現變流器的靈活功率配置，簡化電路設計。




在軌道牽引行業，繼3.3kV/185A、3.3kV/375A和3.3kV/750A全碳化硅模塊之后，三菱電機新開發了一款集成SBD的SiC-MOSFET模塊，其規格為3.3kV/800A，它將有助于為鐵路、電力系統及大型工業變流系統提供更大功率密度、更高效率和可靠性。




在封裝結構和形式上，這款SiC MOSFET模塊采用集成SBD的SiC MOSFET和優化的封裝結構，

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