戰略新變革：三菱電機為功率半導體按下“加速鍵”
日期:2023-08-31 11:23
的RC-IGBT降低了50%左右。





為了進一步強化技術優勢，整合優勢技術資源，2023年7月，三菱電機宣布，已入股Novel Crystal Technology, Inc.。在以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體逐漸進入產業化并加速放量的階段，三菱電機為搶占技術先機按下了快捷鍵。




三菱電機期望通過將其在低能量損耗、高可靠性功率半導體的設計和制造方面的專業知識與Novel Crystal Technology在鎵生產方面的專業知識相結合，加速其卓越節能氧化鎵功率半導體的開發。




三菱電機功率器件制作所高級技術顧問近藤晴房表示，碳化硅功率模

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