戰略新變革：三菱電機為功率半導體按下“加速鍵”
日期:2023-08-31 11:23
物半導體技術、利用自主研發溝槽(Trench)結構SiC-MOSFET所實現的低功耗芯片技術、業界頂尖的小型化與輕量化模塊技術等。三菱電機功率器件制作所首席技術顧問Gourab Majumdar 博士也在發布會上就三菱電機的技術進展做了充分的補充，包括硅基和碳化硅基兩個方面。




以硅基芯片為例，三菱電機研發的硅基IGBT芯片從第3代IGBT到現在第7代IGBT，面積越來越小，每一代IGBT的損耗也在不斷降低。當前，三菱電機已經推出采用更精細結構概念、更新工藝技術的新型RC-IGBT芯片。據悉，新一代RC-IGBT芯片可以改善散熱，以減少熱阻,其損耗也比傳

11/14 下一頁 上一頁 首頁 尾頁