三菱電機規劃建設新晶圓廠，強化布局SiC功率半導體產業
日期:2023-03-22 17:32

到2026年3月，之前的5年投資計劃將翻一番,達到2600億日元左右



圖 | 新規劃8英寸SiC晶圓廠房


三菱電機集團近日宣布，將之前宣布的投資計劃（到2026年3月）翻一番，達到約2600億日元，用于建造一座新的晶圓廠，以增加碳化硅（SiC）功率半導體的產量。根據該計劃，三菱電機將對電動汽車用SiC功率半導體快速增長的需求做出反應，以及滿足需要低能耗、高溫運行或高速開關等不斷擴大的新應用領域。該計劃還將使三菱電機能夠為全球節能和脫碳的綠色轉型趨勢做出貢獻。

此次投資的追加部分（約1000億日元）主要將用于建造一座新

1/5 下一頁 上一頁 首頁 尾頁