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    高壓IGBT模塊 (HVIGBT)
    發布時間:2014-08-29        瀏覽次數:89368        返回列表
     基板:有Cu和AlSiC兩種
    額定電壓:從1700V到6500V
    額定電流:從200A到2400A
    絕緣電壓:從4.0kVrms到10.2kVrms 
    H系列:采用平板型IGBT硅片,其可靠性已得到業界公認
    N系列:采用 CSTBTTM硅片,進一步降低損耗,縮小體積
    N系列B型:采用 CSTBTTM硅片,封裝與H系列兼容
    R系列:封裝尺寸與 H 系列兼容;額定電流提升到1500A;高短路魯棒性設計;運行溫度范圍由-40~125°C 擴大到-50~ 150° C;最小存貯溫度由-40℃擴展到-55℃。
    續流二極管:軟恢復特性,保證良好的EMI性能

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