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高壓IGBT模塊 (HVIGBT)

發布時間：2014-08-29 瀏覽次數：89235 返回列表

基板：有Cu和AlSiC兩種
額定電壓：從1700V到6500V
額定電流：從200A到2400A
絕緣電壓：從4.0kVrms到10.2kVrms
H系列：采用平板型IGBT硅片，其可靠性已得到業界公認
N系列：采用 CSTBT^TM硅片，進一步降低損耗，縮小體積
N系列B型：采用 CSTBT^TM硅片，封裝與H系列兼容
R系列：封裝尺寸與 H 系列兼容;額定電流提升到1500A；高短路魯棒性設計；運行溫度范圍由-40~125°C 擴大到-50~ 150° C；最小存貯溫度由-40℃擴展到-55℃。
續流二極管：軟恢復特性，保證良好的EMI性能

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