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    公司新聞

    【新品】三菱電機(jī)開始提供全SiC和混合SiC SLIMDIP樣品
    發(fā)布時(shí)間:2025-04-16        瀏覽次數(shù):882        返回列表
     

    三菱電機(jī)集團(tuán)今日(2025年4月15日)宣布,將于4月22日開始供應(yīng)兩款新型空調(diào)及家電用SLIMDIP系列功率半導(dǎo)體模塊樣品——全SiC SLIMDIP(PSF15SG1G6)和混合SiC SLIMDIP(PSH15SG1G6)。作為該企業(yè)SLIMDIP系列中首款采用SiC技術(shù)的緊湊型端子優(yōu)化模塊,這兩款產(chǎn)品在小型至大型電器應(yīng)用中均能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的輸出性能與功耗降低,顯著提升能效表現(xiàn)。三菱電機(jī)將在PCIM Expo&Conference 2025(5月6-8日,德國(guó)紐倫堡)及日本、中國(guó)等國(guó)家的行業(yè)展會(huì)上展出這兩款產(chǎn)品。

     

    三菱電機(jī)新開發(fā)的SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)芯片已集成至兩款新型SLIMDIP封裝中。與現(xiàn)行硅基逆導(dǎo)型絕緣柵雙極晶體管(RC-IGBT)SLIMDIP模塊相比,新型SiC模塊可為大容量家電提供更高的輸出功率。此外,與硅基模塊相比,全SiC SLIMDIP的功率損耗降低了79%1,混合SiC SLIMDIP的功率損耗降低了47%1,可使電器更節(jié)能。通過這兩款新型模塊與現(xiàn)有硅基RC-IGBT SLIMDIP模塊的組合,SLIMDIP系列現(xiàn)可為空調(diào)等家電的逆變器電路板提供三種選擇,每種選擇可分別滿足不同電氣容量與性能需求,在保持相同封裝的前提下,幫助減輕逆變器基板的設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)。

     

    產(chǎn) 品 特 點(diǎn)

     

    該系列首款SiC MOSFET模塊,幫助提升家電用大容量逆變器的輸出功率

    • 由于內(nèi)置了新開發(fā)的專為SLIMDIP封裝優(yōu)化的SiC MOSFET芯片,作為首款面向大容量家電的SiC SLIMDIP功率半導(dǎo)體模塊,其輸出功率較現(xiàn)有硅基RC-IGBT SLIMDIP模塊顯著提高

    全SiC SLIMDIP模塊將功率損耗降低了79%,顯著提升家電能效

    • 全新SiC MOSFET模塊適配全SiC SLIMDIP的芯片尺寸與特性,與現(xiàn)行硅基模塊相比可降低79%1的功率損耗,顯著提升家電能效。當(dāng)應(yīng)用于空調(diào)壓縮機(jī)逆變器電路時(shí),更可實(shí)現(xiàn)年功率損耗降低80%2

    得益于SiC MOSFET和RC-IGBT,混合SiC SLIMDIP模塊將功率損耗降低了47%

    • 三菱電機(jī)將SiC MOSFET和RC-IGBT集成到單個(gè)功率半導(dǎo)體模塊中并應(yīng)用于家電領(lǐng)域,與目前的硅基模塊相比,混合SiC SLIMDIP能夠?qū)⒐慕档?7%1。當(dāng)應(yīng)用于空調(diào)壓縮機(jī)逆變器電路時(shí),更可實(shí)現(xiàn)年功率損耗降低41%2

    • 混合SiC SLIMDIP內(nèi)部封裝了多個(gè)元件及連線,采用同一IC來(lái)驅(qū)動(dòng)并聯(lián)的SiC MOSFET(低電流下低導(dǎo)通電壓)和Si RC-IGBT(高電流導(dǎo)通特性)并將之應(yīng)用于家電領(lǐng)域

       

      主要規(guī)格



      背景

       

      為實(shí)現(xiàn)更高水平的脫碳目標(biāo),市場(chǎng)對(duì)能夠高效轉(zhuǎn)換電力的家電用功率半導(dǎo)體的需求正持續(xù)增長(zhǎng),例如控制空調(diào)、洗衣機(jī)中壓縮機(jī)與風(fēng)扇的逆變器。全球范圍內(nèi),家用電器的節(jié)能逆變器正加速普及,而日本更在不斷加強(qiáng)家電能效的法規(guī)約束。在此背景下,對(duì)有助于提升逆變器效率的高性能功率半導(dǎo)體,其市場(chǎng)需求預(yù)計(jì)將保持持續(xù)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

       

      三菱電機(jī)于1997年實(shí)現(xiàn)DIPIPM智能功率半導(dǎo)體模塊商業(yè)化量產(chǎn),該模塊采用壓注模結(jié)構(gòu),集成了具有驅(qū)動(dòng)和保護(hù)功能的開關(guān)元件與控制IC。2010年,三菱電機(jī)推出了搭載SiC功率半導(dǎo)體模塊的“霧峰”家用空調(diào)。2015年,三菱電機(jī)發(fā)布了采用RC-IGBT的SLIMDIP系列模塊,較第6代超小型DIPIPM體積縮小約30%,助力家電產(chǎn)品向小型化與高能效演進(jìn)。2016年,三菱電機(jī)公布了全SiC超小型DIPIPM,進(jìn)一步推進(jìn)家用空調(diào)的節(jié)能化。

       

      注:混合SiC SLIMDIP產(chǎn)品所采用的并聯(lián)驅(qū)動(dòng)與封裝技術(shù),是與日本新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)(NEDO)資助的"脫碳社會(huì)節(jié)能技術(shù)商業(yè)化開發(fā)促進(jìn)計(jì)劃"合作研發(fā)的成果。

       

      網(wǎng)站

      有關(guān)功率器件的更多信息,請(qǐng)?jiān)L問www.MitsubishiElectric.com/semiconductors/powerdevices/

       

       

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