第六代650 V CoolSiC肖特基二極管采用全新布局以及全新專有肖特基金屬系統，內部結構也與上代產品完全不同。其結果就是樹立行業標桿V F（1.25 V），以及比上一代產品低17%的Q c x V F 優質系數（FOM）。此外，新推出的第六代全新二極管充分發揮碳化硅的強大特性——獨立于溫度的開關性能和沒有反向恢復電荷。
該器件的設計有助于在所有負載條件下提高效率，同時提高系統功率密度。因此， 第六代650 V CoolSiC肖特基二極管具備降低散熱要求、提高系統可靠性和極快開關速度等諸多優勢。新款器件是具備最佳性價比的新一代碳化硅二極管產品。
共0條 [查看全部] 網友評論